MoS2薄膜,磁控溅射,抗氧化性,电学性能">
国内刊号:21-1328/TG
国际刊号:1005-3093
发布日期:
作者:谢明玲, 张广安, 史鑫, 谭稀, 高晓平, 宋玉哲
单位:1.甘肃省科学院传感技术研究所 兰州 7300002.中科院兰州化学物理研究所 固体润滑国家重点实验室 兰州 730000
关键词:材料科学基础学科,2薄膜')"href="#">MoS2薄膜,磁控溅射,抗氧化性,电学性能
基金:甘肃省科学院青年科技创新基金(2018QN-04);甘肃省科学院与中科院合作项目(2017HZ-02);甘肃省科学院创新团队建 设项目(2020CX005-01);甘肃省科学院应用研究与开发计划项目(2018JK-16)
用磁控溅射在硅片上制备MoS2和Ti-MoS2薄膜,并将其在恒温恒湿箱中在AT 30℃、RH 70%条件下存储360 h。使用XRD谱、XPS谱和紫外-可见分光光度计、四探针测试仪表征分析薄膜的结构、在恒温恒湿条件下存储前后的表面化学状态和电学性能,研究了Ti掺杂对薄膜抗氧化性和电学性能的影响。结果表明:Ti掺杂影响MoS2薄膜的晶体取向。随着Ti靶电流的增大薄膜的结晶性变差,Ti靶电流为0.6A时薄膜呈无定型结构且禁带宽度减小、电导率提高;在恒温恒湿条件下存储后薄膜的部分氧化而呈MoS2与MoO3的复合状态,随着Ti靶电流的增大IMo-O/IMo-S比提高、禁带宽度略有增大,Ti靶电流为0.4A的Ti-MoS2薄膜其化学稳定性较高。
来源:2021年第1期
《材料研究学报》期刊编辑部