材料研究学报

作者：熊文文, 何嵩, 郑淞生, 程其进, 沈宏勋, 陈朝

单位：厦门大学能源学院 厦门 361102

关键词：材料结构与性能,稳定制备,RF-PECVD,类金刚石薄膜,流量比值,衬底位置

基金：福建省科技厅工业引导项目(2017H0038)

用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石(DLC)薄膜，通过控制甲烷(CH4)与氩气(Ar)流量的比值(VCH4/VAr)分别在上极板和下极板上沉积制备出一系列DLC薄膜，用Raman光谱等检测技术表征了DLC薄膜的结构、表面粗糙度、表面形貌和硬度。结果表明：随着VCH4/VAr比例的改变在下极板可制备出含有不同sp3和sp2杂化态比例(Ssp3/Ssp2)的DLC薄膜。随着VCH4/VAr的提高，在下极板沉积的DLC薄膜的Ssp3/Ssp2杂化态比值先上升后下降，VCH4/VAr=1时的Ssp3/Ssp2杂化态比值达到最高1.34；而在上极板沉积的DLC样品其Ssp3/Ssp2比例没有明显的变化。在上极板进气口沉积样品比在下极板出气口沉积样品重复性好，样品更光滑致密、硬度更高。

来源：2021年第2期

《材料研究学报》期刊编辑部

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