材料研究学报

作者：王昊, 赵洪峰, 康加爽, 周远翔, 谢清云

单位：1.新疆大学电气工程学院 电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室风光储分室 乌鲁木齐 8300462.清华大学 电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室 北京 1000843.西安西电避雷器有限公司 西安 710200

关键词：无机非金属材料,ZnO压敏陶瓷,电学性能,微观结构

基金：国家自然科学基金(51762038)

研究了B2O3(B)和Al2O3(Al)共掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能和微观结构的影响。结果表明，共掺杂B和Al的ZnO压敏陶瓷，具有低泄漏电流、高非线性和低剩余电压等优良电性能。B和Al的掺杂率为3.0%(摩尔分数)和0.015%(摩尔分数)的ZnO压敏陶瓷，其最佳样品的电参数为：击穿电压E1 mA＝475 V/mm；泄漏电流JL=0.16 μA/cm2；非线性系数α=106；剩余电压比K = 1.57。

来源：2021年第2期

《材料研究学报》期刊编辑部

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