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材料研究学报

北大核心,CA,JST,EI,CSCD

国内刊号:21-1328/TG

国际刊号:1005-3093

材料研究学报杂志2022年第3期:高比容少层MXene Ti3C2 的制备及其超级电容性能

发布日期:

作者:王益浩, 吴琼, 李鹏飞, 杨占鑫, 张洪涛

单位:1.辽宁工业大学 材料科学与工程学院 锦州 1210012.辽宁中色新材科技有限公司 锦州 121000

关键词:无机非金属材料,3C2')"href="#">少层Ti3C2,微波辅助刻蚀,比容量

基金:国家自然科学基金(51971106);锦州市“春芽计划”科技攻关项目

采用微波辅助选择性刻蚀技术制备了原子层间距为1.28 nm的少层Ti3C2,其质量比电容为377.64 F/g,比多层Ti3C2提高了154.27%。对两种Ti3C2电化学储能过程的动力学分析结果表明,少层Ti3C2的电荷存储主要是表面电容的贡献,其贡献率为76.28%。

来源:2022年第3期

《材料研究学报》期刊编辑部

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