少层Ti3C2,微波辅助刻蚀,比容量">
国内刊号:21-1328/TG
国际刊号:1005-3093
发布日期:
作者:王益浩, 吴琼, 李鹏飞, 杨占鑫, 张洪涛
单位:1.辽宁工业大学 材料科学与工程学院 锦州 1210012.辽宁中色新材科技有限公司 锦州 121000
关键词:无机非金属材料,3C2')"href="#">少层Ti3C2,微波辅助刻蚀,比容量
基金:国家自然科学基金(51971106);锦州市“春芽计划”科技攻关项目
采用微波辅助选择性刻蚀技术制备了原子层间距为1.28 nm的少层Ti3C2,其质量比电容为377.64 F/g,比多层Ti3C2提高了154.27%。对两种Ti3C2电化学储能过程的动力学分析结果表明,少层Ti3C2的电荷存储主要是表面电容的贡献,其贡献率为76.28%。
来源:2022年第3期
《材料研究学报》期刊编辑部