材料研究学报

北大核心,CA,JST,EI,CSCD

国内刊号:21-1328/TG

国际刊号:1005-3093

材料研究学报杂志2024年第9期:碳化硅吸波材料的原位反应法制备及其机理

发布日期:

作者:崔思凯, 付广艳, 林立海, 颜雨坤, 李处森

单位:1 沈阳化工大学机械与动力工程学院 沈阳 1101422 中国科学院金属研究所 沈阳材料科学国家研究中心 沈阳 110016

关键词:复合材料,碳化硅吸波材料,碳化硅相变,原位反应,吸波性能

使热解碳与硅粉分别在1800℃、2000℃和2200℃进行原位反应制备三种SiC材料,观察其微观形貌、物相和晶体结构并测试其电磁吸波性能,研究了原位反应温度对其吸波性能的影响。结果表明,在1800℃硅碳原位反应生成3C结构的β相SiC,在2000℃原位反应的蒸发—冷凝过程中β相SiC向6H结构的α相SiC转变。随着反应温度的提高相变加剧,α相SiC的比例随之提高,SiC材料对电磁波的介电损耗性能减弱,阻抗匹配性能也随之提高。原位反应温度不低于2000℃时生成的SiC材料,其介电损耗和阻抗匹配性能适当,是性能较好的吸波材料。

来源:2024年第9期

《材料研究学报》期刊编辑部

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